IGBT
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IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor )绝缘栅双极晶体管，是在普通VDMOS基础上，晶圆背面增加了P+注入，利用电导调制效应在漂移区增加载流子数量，从而大幅度降低器件的导通电阻和芯片面积。IGB T器件电流密度高且功耗低，能够显著提高能效、降低散热需求，适用于高电压、大电流等大功率场景。

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