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储能逆变

逆变器（车载逆变器 500-1000W）

传统车载逆变器市场，功率[敏感词]不超过 1000W，多半采用传统的方波算法，结合低频的方案来实现，针对方波和低频应用，永源微电子推出，传统的 Trench 1 代工艺进行补充，以及后级的高压平面产品进行匹配。

初级升压

APM 型号	参数	开启电压	封装	量产	替换型号
AP150N04HP	150A 40V 2.8mΩ	2.0-4.0V	TO220-3L	量产	IRFP1404
AP180N04P	180A 40V 1.8mΩ	2.0-4.0V	TO220-3L	量产	IRFP1404
AP120N06P	120A 65V 4.5mΩ	2.0-4.0V	TO220-3L	量产	IRFP3206
AP85N08BP	85A 80V 6.5mΩ	2.0-4.0V	TO220-3L	量产	EAS 能力强

后级逆变

APM 型号	参数	开启电压	封装	量产	工艺
AP40N20P	40A 200V 52mΩ	2.0-4.0V	TO220-3L	量产	平面工艺
AP50N20P	50A 200V 48mΩ	2.0-4.0V	TO220-3L	量产	平面工艺
AP70N20MP	70A 200V 30mΩ	2.0-4.0V	TO247-3L	量产	平面工艺
AP50N25MP	50A 250V 70mΩ	2.0-4.0V	TO247-3L	量产	平面工艺
AP90N25MP	90A 280V 30mΩ	2.0-4.0V	TO247-3L	量产	平面工艺
AP70N30MP	70A 300V 55mΩ	2.0-4.0V	TO247-3L	量产	平面工艺
AP100N30MP	100A 300V 44mΩ	2.0-4.0V	TO247-3L	量产	平面工艺
AP12N40P	12A 400V 430mΩ	2.0-4.0V	TO220-3L	量产	平面工艺
AP30N40F	30A 400V 100mΩ	2.0-4.0V	TO-220F	2023-10	平面工艺
AP40N40MP	40A 400V 90mΩ	2.0-4.0V	TO247-3L	2023-10	平面工艺
AP20N50F	20A 500V 260mΩ	2.0-4.0V	TO220F-3L	量产	平面工艺
AP24N50F	24A 500V 215mΩ	2.0-4.0V	TO220F-3L	量产	平面工艺
AP28N50F	28A 500V 195mΩ	2.0-4.0V	TO220F-3L	量产	平面工艺
AP24N50MP	24A 500V 215mΩ	2.0-4.0V	TO247-3L	量产	平面工艺
AP28N50MP	28A 500V 170mΩ	2.0-4.0V	TO247-3L	量产	平面工艺
AP34N50MP	34A 500V 150mΩ	2.0-4.0V	TO247-3L	量产	平面工艺

逆变器（便携式逆变器 1000-2000W）

APM 型号	参数	开启电压	封装	量产	工艺
AP160N10P	160A 100V 3.8mΩ	2.0-4.0V	TO220-3L	量产	SGTI
AP220N10MP	220A 100V 2.8mΩ	2.0-4.0V	TO247-3L	量产	SGTI
AP280N10MP	280A 100V 2.0mΩ	2.0-4.0V	TO247-3L	量产	SGTI
AP340N10MP	340A 100V 1.7mΩ	2.0-4.0V	TO247-3L	量产	SGTI
AP160N10P	160A 100V 3.8mΩ	2.0-4.0V	TO220-3L	量产	SGTI
AP220N10MP	220A 100V 2.8mΩ	2.0-4.0V	TO247-3L	量产	SGTI
AP280N10MP	280A 100V 2.0mΩ	2.0-4.0V	TO247-3L	量产	SGTI
AP340N10MP	340A 100V 1.7mΩ	2.0-4.0V	TO247-3L	量产	SGTI

后级参考产品如下

APM 型号	参数	开启电压	封装	量产	工艺
APJ50N65F	IDM:50A 650V 160mΩ	2.0-4.0V	TO220F-3L	量产	2 代深沟槽
APJ75N65F	IDM:75A 650V 100mΩ	2.0-4.0V	TO220F-3L	量产	2 代深沟槽
APJ100N65MP	IDM:100A 650V 78mΩ	2.0-4.0V	TO247-3L	量产	2.5 代深沟槽
APJ150N65MP	IDM:150A 650V 58mΩ	2.0-4.0V	TO247-3L	量产	2.5 代深沟槽

逆变器（光伏/家庭储逆变器 2000W-5000W）

一般来说家庭储能逆变频率多半是在经典 35K，对应 MOS 的电容要求不是很高，但是对内阻要求会偏大更苛刻。

次级参考产品如下

APM 型号	参数	开启电压	封装	量产	工艺
AP120N15P	120A 150V 9.0mΩ	2.0-4.0V	TO220-3L	量产	SGTI
AP190N15P	190A 150V 6.5mΩ	2.0-4.0V	TO220-3L	量产	SGTI
AP240N15P	240A 150V 5.2mΩ	2.0-4.0V	TO220-3L	量产	SGTI
AP300N15MP	300A 150V 3.5mΩ	2.0-4.0V	TO247-3L	量产	SGTI
AP100N20MP	100A 200V 17mΩ	2.0-4.0V	TO247-3L	量产	沟槽
AP130N20MP	130A 200V 17mΩ	2.0-4.0V	TO247-3L	量产	平面
AP140N20MP	140A 200V 9.0mΩ	2.0-4.0V	TO247-3L	量产	SGTI
AP110N25MP	110A 250V 17mΩ	2.0-4.0V	TO247-3L	量产	SGTI
AP90N25MP	90A 280V 30mΩ	2.0-4.0V	TO247-3L	量产	平面
AP100N30MP	100A 300V 44mΩ	2.0-4.0V	TO247-3L	量产	平面

永源微电子，针对这个市场推出大量低电阻，TO-247 封装的产品。电阻率从几个 mR 到几十 mR，电压平台从100V-300V 系列

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