ELITE MOSFET(SGT)
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ELITE MOSFET(SGT)

SGT MOSFET ( Shield Gate Trench MOSFET )屏蔽栅功率器件利用电荷平衡原理，在传统沟槽MOSFE T器件PN结垂直耗尽的基础上引入了水平耗尽，在耐压BVDSS不变的情况下可采用更浓掺杂的外延层，从而大幅降低比导通电阻Rsp和芯片面积。同时米勒电容显著降低，开关速度明显提高，从而使开关损耗减少，在开关模式电源应用方面具有明显优势。

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