( Super Junction MOSFET )超结功率器件采用N型和P型周期排列结型耐压层突破了传统硅基MOS器件的理论极限，相对于传统平面VDMOS器件Rdson*A-BV的2.5次方关系，SJ MOSFET的导通电阻与击穿电压达到近似线性的关系。因此SJ MOSFET的导通电阻RDS ( on)、珊极容值和输出电荷以及管芯尺J同时得到明显降低，成为高压开关转换器领域的高效率典型功率器件。

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