SIC MOSFET
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碳化硅MOSFET相比于Si MOSFET,拥有更优异的耐压特性,更小的芯片尺寸;相比于Si IGBT, 拥有更快的开关速度,更低的能量损耗。同时,SiCMOSFET耐高温性能突出,且性能受温度影响较小,可以从系统上减少整机体积,优化成本。

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